Muy bien, continuamos con MOSFET en región activa. Habíamos visto en 4.04 que el MOSFET opera en región de triodo. Vamos a entenderlo un poco más intuitivamente, a nivel de caja negra que es lo que está haciendo esta cuestión. Si yo aplico voltaje aquí, "VGS", lo que creo es un canal. Mientras más voltaje, más exceso de voltaje por sobre "VT", el canal es más profundo, puede llevar más corriente. Entonces si yo, luego aplico un voltaje entre "VD", entre "D" y "S", por aquí circula corriente, entonces cuando "VGS" crece, yo puedo tener más corriente, "ID", a medida que aumento "VGS". Ahora vamos a ver qué es lo que pasa aquí, de aquí hacia allá, en la región activa. Nosotros habíamos visto que en triodo, ésta es la ecuación que modela la corriente en función del voltaje. Hay dos voltajes, está "VGS" por un lado y "VDS" por otro lado. Generalmente en triodo "VDS" es pequeño, entonces vamos a operar por aquí. "VDS" es pequeño, generalmente, podemos omitir ésto y quedarnos con esta parte, cuando "VDS" es muy pequeño y ahí la corriente es función de "VGS". La corriente entre estos terminales es función de "VGS", entonces "VGS" controla, de alguna forma, la corriente entre otros terminales, por eso es que es como una fuente controlada más o menos, una resistencia controlada. Ahora vamos a ver qué es lo que pasa de aquí a la derecha. Lo que mencioné en la clase anterior, ¿qué pasa si "VDS" excede "VGS" menos "VT"?, que era este valor de aquí, cuando "VDS" excede "VGS" menos "VT". Cuando excede "VGS" menos "VT", salimos de la región de triodo, debería decir aquí. Y el voltaje efectivo a lo largo del canal es "VGS" menos "VT", entonces aquí en "VS", digamos que vamos a referir todo a "VS", "cero" volts, aquí va a haber "VGS" menos "VT", y el exceso de voltaje de "VD" por sobre "VGS" menos "VT" aparece aquí. En la región donde la carga del canal cae a "cero", que es esta región, en un campo eléctrico lateral muy elevado que barre los portadores de carga y se encarga de esa diferencia de voltaje. En un análisis de primer orden, la corriente se vuelve independiente de "VDS", cuando el canal está estrangulado. Entonces de aquí a la derecha, la corriente no cambia con "VDS" y esa línea horizontal en esta curva "I" versus "V" es una fuente de corriente, entonces el transistor se convierte en una fuente de corriente controlada por voltaje. Ésto es en triodo, pero aquí reemplazamos "VDS" por "VGS" menos "VT" y metemos ese valor aquí, metemos ese valor aquí y la ecuación, finalmente, nos queda ésto. Ésto es lo que ocurre entonces en región activa, ésta es la ecuación que vamos a aprender para región activa, después la vamos a modificar un poco. La ecuación dice que la corriente "ID" es un medio "mu", movilidad, "C OX", capacitancia por unidad de área, "W" partido por "L", donde "W" es el ancho y "L" es la longitud del canal, por "VOV" cuadrado. "VGS" menos "VT", recuerden que es "VOV" cuadrado. Lo que estamos diciendo aquí es que si "VGS" crece, entonces esta corriente crece. Entonces tenemos una especie de fuente de corriente, línea horizontal, controlada por un voltaje distinto, por "VGS", es una fuente de corriente controlada por voltaje, con eso podemos hacer amplificadores. Éste es el resumen del modelo, ésto es un gráfico que nos ayuda a entender un poco las diferentes regiones de operación, "VDS" por un lado, "VGS" por otro lado. Cuando "VGS" es menor que "VT" estamos en corte, la corriente es "cero". Cuando "VGS" es mayor que "VT" o equivalentemente "VOV" es mayor que cero, tenemos dos casos. Un caso en que "VDS" es pequeño, si "VDS" es pequeño, estamos en triodo, si "VDS" es menor que "VOV". En cambio si "VDS" es mayor que "VOV", estamos en región activa y en cada una de estas regiones tenemos una ecuación para la corriente. Éstas son las curvas más importantes del MOSFET. Tenemos "VDS" en el eje "x", "ID" en el eje "y". "VDS", "ID" y vemos que son curvas que son unas parábolas para la región de triodo y rectas horizontales para la región activa. Cuando "VGS" crece, las curvas se van alejando hacia arriba. ¿Cómo sería el MOSFET de canal P? Aquí tenemos el de canal "N", ésto es región "P", ésto es región "N más" y ésto es región "N más". MOSFET de canal "P" es al revés, es una región "N" y zonas de difusión "P más". Todo esto se construye en lo que se llaman un "N-well" o "pozo N" que se fabrica sobre un sustrato tipo "P". Entonces el "wafer", esa cuestión que les mostré, típicamente es "P". Y encima de eso podemos fabricar transistores NMOS. Y para fabricar transistores PMOS necesitamos que sea tipo "N" el "wafer". Entonces, lo que se hace es crear una región tipo "N" sobre el sustrato tipo "P", esa región tipo "N" se le llama pozo "N" y sobre el pozo "N" se construyen los transistores PMOS. Después vamos a hablar de este terminal de cuerpo, pero por ahora no lo vamos a tocar. Entonces, la región de triodo ocurre aquí, cuando "VGS" es menor que "VT" y "VT" es negativo y cuando "VDS" es menor que "VGS" menos "VT" negativo, o sea, todo se vuelve negativo, es como que todos los voltajes cambian de signo. Entonces una forma de aplicar las ecuaciones es ponerle valor absoluto a todos los voltajes. Y cuando le ponemos valores absolutos a todos los voltajes, las ecuaciones nos quedan idénticas. Entonces, el PMOS, la corriente va de fuente a dren y los voltajes son todos negativos, o sea, cuando crece el "VGS" en valor absoluto, cuando "VG" es mucho menor que "VS", ahí recién tenemos un transistor que está encendido. Y para pasar a región activa, "VSD" tiene que ser grande, o sea, el "VDS" es negativo, muy negativo. Entender bien los PMOS cuesta, al principio cuesta y lo mejor que pueden hacer es harto ejercicio. Eso concluye esta clase.