À propos de ce cours
Spécialisation
100 % en ligne

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Niveau avancé

Niveau avancé

Heures pour terminer

Approx. 10 heures pour terminer

Recommandé : 3 weeks of study, 2-5 hours per week....
Langues disponibles

Anglais

Sous-titres : Anglais
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Programme du cours : ce que vous apprendrez dans ce cours

Semaine
1
Heures pour terminer
4 heures pour terminer

Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Device

In this module on MOS devices, we will cover the following topics:, MOS device structure, energy band diagram for MOS device at equilibrium, Flat band condition, Accumulation, Depletion, and Inversion of MOS under bias, Energy band diagram and charge distribution for MOS in inversion, Quantitative model and relevant parameters, Energy band diagram with channel bias, Inversion layer charge, and Effect on threshold voltage of MOS in non-equilibrium, C-V characteristics: Charge distribution under different biasing conditions, C-V characteristics: Frequency dependence, Effects of oxide charge on flat band and threshold voltages in non-ideal MOS, and Types of oxide charge in non-ideal MOS....
Reading
8 vidéos (Total 90 min), 2 lectures, 1 quiz
Video8 vidéos
MOS at Equilibrium10 min
Basic Operation of MOS13 min
Analysis of MOS Operation9 min
Analysis of MOS Operation (Part 2)10 min
MOS in Non-Equilibrium15 min
Capacitance-Voltage Characteristics13 min
Non-Ideal MOS14 min
Reading2 lectures
Module Topics2 min
Materials and Constants10 min
Quiz1 exercice pour s'entraîner
Homework #1s
Semaine
2
Heures pour terminer
3 heures pour terminer

MOS Field Effect Transistor (MOSFET)

In this module on MOSFETs (metal-oxide semiconductor field effect transistors), we cover the following topics: History of development of MOSFETs, Device structure, Device types, Circuit symbols, Long channel theory, I-V characteristics, Modes of operation, Channel length modulation, Body bias effect, Bulk charge effect, Sub-threshold conduction, Source/drain charge sharing in short channel devices, Drain induced barrier lowering, Subsurface punchthrough, Mobility degradation, Velocity saturation, Drain current saturation, Scaling of drain current with channel length, and Scaling of speed with channel length....
Reading
7 vidéos (Total 65 min), 2 lectures, 1 quiz
Video7 vidéos
Basic Operation of MOSFET12 min
Advanced Operation of MOSFET 19 min
Advanced Operation of MOSFET 28 min
Short Channel Effects 18 min
Short Channel Effects 212 min
Short Channel MOSFET5 min
Reading2 lectures
Module Topics2 min
Materials and Constants10 min
Quiz1 exercice pour s'entraîner
Homework #2s
Semaine
3
Heures pour terminer
5 heures pour terminer

Bipolar Junction Transistor (BJT)

In this module on BJTs (bipolar junction transistors), we will cover the following topics: BJT Device structures, Energy band diagrams, Active bias, Leakage current, Recombination in base, Hoe injection, Non-uniform doping in base, Current gain, Switching with BJT, Single heterojunction bipolar transistor, Double heterojunction bipolar transistor, Non-uniform material, Early effect, Emitter bias dependence, High-level injection, Base, emitter and collector transit times, and RC time constant....
Reading
6 vidéos (Total 79 min), 2 lectures, 2 quiz
Video6 vidéos
Base-Emitter Current12 min
Basic Operation of BJT9 min
Heterojunction Bipolar Transistor (HBT)16 min
Non-Ideal Behavior13 min
Frequency Response10 min
Reading2 lectures
Module Topics2 min
Materials and Constants10 min
Quiz1 exercice pour s'entraîner
Homework #3s

Enseignant

Avatar

Wounjhang Park

Professor
Electrical, Computer, and Energy Engineering

À propos de Université du Colorado à Boulder

CU-Boulder is a dynamic community of scholars and learners on one of the most spectacular college campuses in the country. As one of 34 U.S. public institutions in the prestigious Association of American Universities (AAU), we have a proud tradition of academic excellence, with five Nobel laureates and more than 50 members of prestigious academic academies....

À propos de la Spécialisation Semiconductor Devices

This Semiconductor Devices specialization is designed to be a deep dive into the fundamentals of the electronic devices that form the backbone of our current integrated circuits technology. You will gain valuable experience in semiconductor physics, pn junctions, metal-semiconductor contacts, bipolar junction transistors, metal-oxide-semiconductor (MOS) devices, and MOS field effect transistors. Specialization Learning Outcomes: *Learn fundamental mechanisms of electrical conduction in semiconductors *Understand operating principles of basic electronic devices including pn junction, metal-semiconductor contact, bipolar junction transistors and field effect transistors *Analyze and evaluate the performance of basic electronic devices *Prepare for further analysis of electronic and photonic devices based on semiconductors...
Semiconductor Devices

Foire Aux Questions

  • Une fois que vous êtes inscrit(e) pour un Certificat, vous pouvez accéder à toutes les vidéos de cours, et à tous les quiz et exercices de programmation (le cas échéant). Vous pouvez soumettre des devoirs à examiner par vos pairs et en examiner vous-même uniquement après le début de votre session. Si vous préférez explorer le cours sans l'acheter, vous ne serez peut-être pas en mesure d'accéder à certains devoirs.

  • Lorsque vous vous inscrivez au cours, vous bénéficiez d'un accès à tous les cours de la Spécialisation, et vous obtenez un Certificat lorsque vous avez réussi. Votre Certificat électronique est alors ajouté à votre page Accomplissements. À partir de cette page, vous pouvez imprimer votre Certificat ou l'ajouter à votre profil LinkedIn. Si vous souhaitez seulement lire et visualiser le contenu du cours, vous pouvez accéder gratuitement au cours en tant qu'auditeur libre.

D'autres questions ? Visitez le Centre d'Aide pour les Etudiants.